





产品描述
普冉**低功耗NOR Flash具备四大核心优势:
1)休眠功耗、待机功耗行业良好;
2)读写速度快、抗干扰性强;
3)性价比高,可更好地满足客户成本需求。制程方面,公司*一代产品为55nm制程,目前40nm制程已成为量产出货主力,后续公司会持续推出基于SONOS工艺平台的下一代40E系列产品,以及基于ETOX工艺的下一代4Xnm平台产品,持续保持公司的竞争优势;
4)可定制化程度高,支持各种封装形式、全容量系列开发。
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